设计集成电路布图策画专有权告示(2024年6月14日)

      |      2024-06-17 15:25:33

  PG电子官方网站布图打算名称:超低功耗1.25G/10G多速度突发形式控造后置放大器用于10GEPONOLT收发器

  布图打算创作人:冯双、唐湘雨、向钰、金正宇、吴修城、王振寰、付李笑、苏永航、张紫荣、欧阳珊、陈文琪

  布图打算名称:集成 SPI接口具备完美数字调光的十六通道LED驱动驾御 器OZ9929M8_A

  布图打算权益人:无锡微电子科研中央(中国电子科技集团公司第五十八探索所)

  布图打算创作人:黄卫锋、尤凯迪、王金鹏、黄善勇、汪梦柔、陈俊、李俊伟、郝源源、廖超、万亮、李洪、朱德志、李华、杨祎、吴凤阳、黄敏、孙葛亮设计、曹智奕

  布图打算创作人:陈高华、陈武、伸张、潘超、徐志鹏、王静静、韩砀设计、石国伟、蒋道福、任幼军、魏立、陈冬明、崔诗敏、袁超、汪明敏、王运波、李憬、张强壮

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  布图打算创作人:俞沛宙、杨继辉、吴高波、何辅江、张霁明、徐任超、夏晟、章梦妮

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  布图打算名称:络续电流形式功率因数驾御器芯片 MK2554系列(HS3A0)

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种高速时钟中继器(DP_WCK_HSRPT)国界组织

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种数据输入输出双向端口(DP_DQ)国界组织

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种先入先出数据缓存器(DP_DQ_RD_FIFO)国界组织

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种分频器(DP_WCK_LSDIV)国界组织

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种时钟数据读写端口(DP_CK)国界组织

  布图打算名称:3D NAND中供给基准电压电途(PR_TOP_BG)的一种国界打算

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种指令所在读写端口(DP_CA)国界组织

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种检测写入操作时 bank所在切换模块(BK_WRBK_ADDR_MON)国界组织

  布图打算名称:DRAM存储器中的一种行冗余电途编造内部根本单位的国界组织

  布图打算名称:DRAM存储器中的一种转达写入驱动和二次感知放大信号的国界组织

  布图打算名称:动态随机存储器中的一种高速数据通途上全体数据线位缓存器的结构形式

  布图打算名称:动态随机存储器(DRAM)中的一种 SA LDL的国界排布计划

  布图打算名称:低噪声、恒定频率电荷泵行使三模负载开闭(1X)的 DC/DC转换器 AP3156

  布图打算名称:九种逻辑组合输入成效、单电源使命的电平转换电途74AUP1G97

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